Suscepteur de revêtement SiC

Vetek Semiconductor se concentre sur la recherche, le développement et l'industrialisation des revêtements CVD SiC et CVD TaC. En prenant comme exemple le suscepteur de revêtement SiC, le produit est hautement traité avec un revêtement CVD SIC dense de haute précision, une résistance à haute température et une forte résistance à la corrosion. Une enquête sur nous est la bienvenue.

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Description du produit

Vous pouvez être assuré d'acheter un suscepteur de revêtement SiC dans notre usine.

En tant que fabricant de revêtements CVD SiC, VeTek Semiconductor souhaite vous fournir des suscepteurs de revêtement SiC constitués de graphite de haute pureté et d'un suscepteur de revêtement SiC (inférieur à 5 ppm).Bienvenue pour nous contacter.

Chez Vetek Semiconductor, nous sommes spécialisés dans la recherche, le développement et la fabrication technologiques, proposant une gamme de produits avancés pour l'industrie. Notre principale gamme de produits comprend un revêtement CVD SiC + du graphite de haute pureté, un suscepteur de revêtement SiC, du quartz semi-conducteur, un revêtement CVD TaC + du graphite de haute pureté, un feutre rigide et d'autres matériaux.

L'un de nos produits phares est le suscepteur de revêtement SiC, développé avec une technologie innovante pour répondre aux exigences strictes de la production de plaquettes épitaxiales. Les tranches épitaxiales doivent présenter une distribution de longueur d'onde étroite et de faibles niveaux de défauts de surface, ce qui fait de notre suscepteur de revêtement SiC un composant essentiel pour atteindre ces paramètres cruciaux.

Avantages de notre suscepteur de revêtement SiC :

Protection du matériau de base : Le revêtement CVD SiC agit comme une couche protectrice pendant le processus épitaxial, protégeant efficacement le matériau de base de l'érosion et des dommages causés par l'environnement externe. Cette mesure de protection prolonge considérablement la durée de vie de l'équipement.

Excellente conductivité thermique : notre revêtement CVD SiC possède une conductivité thermique exceptionnelle, transférant efficacement la chaleur du matériau de base à la surface du revêtement. Cela améliore l’efficacité de la gestion thermique pendant l’épitaxie, garantissant des températures de fonctionnement optimales pour l’équipement.

Qualité du film améliorée : le revêtement CVD SiC offre une surface plane et uniforme, créant une base idéale pour la croissance du film. Il réduit les défauts résultant d'une inadéquation de réseau, améliore la cristallinité et la qualité du film épitaxial et améliore finalement ses performances et sa fiabilité.

Choisissez notre suscepteur de revêtement SiC pour vos besoins de production de plaquettes épitaxiales et bénéficiez d'une protection améliorée, d'une conductivité thermique supérieure et d'une qualité de film améliorée. Faites confiance aux solutions innovantes de VeTek Semiconductor pour conduire votre succès dans l'industrie des semi-conducteurs.

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC :

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété	Valeur typique
Structure en cristal	Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Densité	3,21 g/cm³
Dureté	Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Taille d'un grain	2~10μm
Pureté chimique	99,99995%
Capacité thermique	640 J·kg-1·K-1
Température de sublimation	2700 ℃
Résistance à la flexion	415 MPa RT 4 points
Module d'Young	Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique	300W·m-1·K-1
Expansion thermique (CTE)	4,5×10-6K-1