LPE SiC Epi Halfmoon de VeTek Semiconductor, un produit révolutionnaire conçu pour élever les processus d'épitaxie SiC des réacteurs LPE. Cette solution de pointe possède plusieurs fonctionnalités clés qui garantissent des performances et une efficacité supérieures tout au long de vos opérations de fabrication. Au plaisir d’établir une coopération à long terme avec vous.
En tant que fabricant professionnel, VeTek Semiconductor souhaite vous fournir une demi-lune LPE SiC Epi de haute qualité.
LPE SiC Epi Halfmoon de VeTek Semiconductor, un produit révolutionnaire conçu pour élever les processus d'épitaxie SiC des réacteurs LPE. Cette solution de pointe possède plusieurs fonctionnalités clés qui garantissent des performances et une efficacité supérieures tout au long de vos opérations de fabrication.
Le LPE SiC Epi Halfmoon offre une précision et une exactitude exceptionnelles, garantissant une croissance uniforme et des couches épitaxiales de haute qualité. Sa conception innovante et ses techniques de fabrication avancées offrent un support de plaquette et une gestion thermique optimaux, fournissant des résultats cohérents et minimisant les défauts.
De plus, le LPE SiC Epi Halfmoon est recouvert d'une couche de carbure de tantale (TaC) de qualité supérieure, améliorant ses performances et sa durabilité. Ce revêtement TaC améliore considérablement la conductivité thermique, la résistance chimique et la résistance à l'usure, protégeant ainsi le produit et prolongeant sa durée de vie.
L'intégration du revêtement TaC dans le LPE SiC Epi Halfmoon apporte des améliorations significatives à votre flux de processus. Il améliore la gestion thermique, assurant une dissipation efficace de la chaleur et maintenant une température de croissance stable. Cette amélioration conduit à une meilleure stabilité du processus, à une réduction des contraintes thermiques et à un rendement global amélioré.
De plus, le revêtement TaC minimise la contamination des matériaux, permettant un nettoyage plus propre et plus
procédé d'épitaxie contrôlé. Il agit comme une barrière contre les réactions indésirables et les impuretés, ce qui entraîne des couches épitaxiales de plus grande pureté et des performances améliorées du dispositif.
Choisissez le LPE SiC Epi Halfmoon de VeTek Semiconductor pour des processus d'épitaxie inégalés. Découvrez les avantages de sa conception avancée, de sa précision et du pouvoir transformateur du revêtement TaC pour optimiser vos opérations de fabrication. Améliorez vos performances et obtenez des résultats exceptionnels avec la solution leader du secteur de VeTek Semiconductor.
Propriétés physiques du revêtement TaC | |
Densité | 14,3 (g/cm³) |
Émissivité spécifique | 0.3 |
Coefficient de dilatation thermique | 6.3 10-6/K |
Dureté (HK) | 2000 Hong Kong |
Résistance | 1×10-5 Ohms*cm |
Stabilité thermique | <2500℃ |
Modifications de la taille du graphite | -10~-20um |
Épaisseur du revêtement | Valeur typique ≥20um (35um±10um) |