Le support de tranche en SiC solide de VeTek Semiconductor est conçu pour les environnements résistants aux températures élevées et à la corrosion dans les processus d'épitaxie de semi-conducteurs et convient à tous les types de processus de fabrication de tranches avec des exigences de pureté élevées. VeTek Semiconductor est l'un des principaux fournisseurs de supports de tranches en Chine et a hâte de devenir votre partenaire à long terme dans l'industrie des semi-conducteurs.
Le support de tranche en SiC solide est un composant fabriqué pour l'environnement à haute température, haute pression et corrosif du processus d'épitaxie des semi-conducteurs, et convient à divers processus de fabrication de tranches avec des exigences de pureté élevées.
Le support de plaquette en SiC solide recouvre le bord de la plaquette, la protège et la positionne avec précision, garantissant ainsi la croissance de couches épitaxiales de haute qualité. Les matériaux SiC sont largement utilisés dans des processus tels que l'épitaxie en phase liquide (LPE), le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et le dépôt organométallique en phase vapeur (MOCVD) en raison de leur excellente stabilité thermique, de leur résistance à la corrosion et de leur conductivité thermique exceptionnelle. Le support de tranche SiC solide de VeTek Semiconductor a été vérifié dans plusieurs environnements difficiles et peut garantir efficacement la stabilité et l'efficacité du processus de croissance épitaxiale des tranches.
● Stabilité à très haute température: Les supports de plaquettes de SiC solides peuvent rester stables à des températures allant jusqu'à 1 500 °C et ne sont pas sujets à la déformation ou à la fissuration.
● Excellente résistance à la corrosion chimique: Utilisant des matériaux en carbure de silicium de haute pureté, il peut résister à la corrosion causée par une variété de produits chimiques, notamment des acides forts, des alcalis forts et des gaz corrosifs, prolongeant ainsi la durée de vie du support de tranche.
● Haute conductivité thermique: Les supports de tranches en SiC solide ont une excellente conductivité thermique et peuvent disperser rapidement et uniformément la chaleur pendant le processus, contribuant ainsi à maintenir la stabilité de la température de la tranche et à améliorer l'uniformité et la qualité de la couche épitaxiale.
● Faible génération de particules: Les matériaux SiC ont une caractéristique naturelle de faible génération de particules, ce qui réduit le risque de contamination et peut répondre aux exigences strictes de l'industrie des semi-conducteurs en matière de haute pureté.
Paramètre
Description
Matériel
Carbure de silicium solide de haute pureté
Taille de plaquette applicable
4 pouces, 6 pouces, 8 pouces, 12 pouces (personnalisable)
Tolérance de température maximale
Jusqu'à 1500°C
Résistance chimique
Résistance aux acides et aux alcalis, résistance à la corrosion du fluorure
Conductivité thermique
250 W/(m·K)
Taux de génération de particules
Génération de particules ultra-faible, adaptée aux exigences de haute pureté
Options de personnalisation
La taille, la forme et d'autres paramètres techniques peuvent être personnalisés selon les besoins
● Fiabilité: Après des tests rigoureux et une vérification réelle par les clients finaux, il peut fournir un support stable et à long terme dans des conditions extrêmes et réduire le risque d'interruption du processus.
● Matériaux de haute qualité: Fabriqué à partir de matériaux SiC de la plus haute qualité, assurez-vous que chaque support de plaquette SiC solide répond aux normes élevées de l'industrie.
● Service de personnalisation: Prise en charge de la personnalisation de plusieurs spécifications et exigences techniques pour répondre aux besoins spécifiques du processus.
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