Mandrin de revêtement TaC

Le mandrin de revêtement TaC de VeTek Semiconductor est la solution idéale pour obtenir des résultats exceptionnels dans le processus SiC EPI. Avec son revêtement TaC, sa résistance aux hautes températures et son inertie chimique, notre produit vous permet de produire des cristaux de haute qualité avec précision et fiabilité. Bienvenue à nous consulter.

Le TaC (carbure de tantale) est un matériau couramment utilisé pour recouvrir la surface des pièces internes des équipements épitaxiaux. Il présente les caractéristiques suivantes :

● Excellente résistance aux hautes températures: Les revêtements TaC peuvent résister à des températures allant jusqu'à 2 200 °C, ce qui les rend idéaux pour les applications dans des environnements à haute température tels que les chambres de réaction épitaxiale.

● Haute dureté: La dureté du TaC atteint environ 2000 HK, ce qui est beaucoup plus dur que l'acier inoxydable ou l'alliage d'aluminium couramment utilisés, ce qui peut prévenir efficacement l'usure de la surface.

● Forte stabilité chimique: Le revêtement TaC fonctionne bien dans les environnements chimiquement corrosifs et peut prolonger considérablement la durée de vie des composants de l'équipement épitaxial.

● Bonne conductivité électrique: Le revêtement TaC a une bonne conductivité électrique, ce qui est propice à la libération électrostatique et à la conduction thermique.

Ces propriétés font du revêtement TaC un matériau idéal pour la fabrication de pièces critiques telles que les bagues internes, les parois de la chambre de réaction et les éléments chauffants pour les équipements épitaxiaux. En revêtant ces composants de TaC, les performances globales et la durée de vie de l'équipement épitaxial peuvent être améliorées.

Pour l'épitaxie du carbure de silicium, les morceaux de revêtement TaC peuvent également jouer un rôle important. La surface du TaC le revêtement est lisse et dense, ce qui favorise la formation de films de carbure de silicium de haute qualité. Dans le même temps, l'excellente conductivité thermique du TaC peut contribuer à améliorer l'uniformité de la répartition de la température à l'intérieur de l'équipement, améliorant ainsi la précision du contrôle de la température du processus épitaxial et, à terme, obtenant une croissance de couche épitaxiale de carbure de silicium de meilleure qualité.