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Suscepteur de rotation du revêtement TaC
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Suscepteur de rotation du revêtement TaC

En tant que fabricant professionnel, innovateur et leader des produits TaC Coating Rotation Susceptor en Chine. Le suscepteur de rotation de revêtement VeTek Semiconductor TaC est généralement installé dans les équipements de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et d'épitaxie par jet moléculaire (MBE) pour soutenir et faire tourner les tranches afin d'assurer un dépôt de matériau uniforme et une réaction efficace. C'est un élément clé dans le traitement des semi-conducteurs. Bienvenue à votre consultation ultérieure.

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Description du produit

Le suscepteur de rotation de revêtement TaC VeTek Semiconductor est un composant clé pour la manipulation des plaquettes dans le traitement des semi-conducteurs. C'estTaC Conotrea une excellente tolérance aux températures élevées (point de fusion jusqu'à 3880°C), une stabilité chimique et une résistance à la corrosion, qui garantissent une haute précision et une haute qualité dans le traitement des plaquettes.


Le suscepteur de rotation de revêtement TaC (suscepteur de rotation de revêtement de carbone au tantale) est un composant clé de l'équipement utilisé dans le traitement des semi-conducteurs. Il est généralement installé dansdépôt chimique en phase vapeur (CVD)et un équipement d'épitaxie par jet moléculaire (MBE) pour soutenir et faire tourner les tranches afin d'assurer un dépôt de matériau uniforme et une réaction efficace. Ce type de produit améliore considérablement la durée de vie et les performances de l'équipement dans des environnements à haute température et corrosifs en recouvrant le substrat derevêtement en carbone de tantale (TaC).


Le suscepteur de rotation du revêtement TaC est généralement composé de revêtement TaC et de graphite ou de carbure de silicium comme matériau de substrat. Le TaC est un matériau céramique à ultra haute température avec un point de fusion extrêmement élevé (point de fusion jusqu'à 3 880 °C), une dureté (la dureté Vickers est d'environ 2 000 HK) et une excellente résistance à la corrosion chimique. VeTek Semiconductor peut recouvrir efficacement et uniformément le revêtement de carbone de tantale sur le matériau du substrat grâce à la technologie CVD.

Le suscepteur de rotation est généralement constitué de matériaux à haute conductivité thermique et à haute résistance (graphite oucarbure de silicium), qui peut fournir un bon support mécanique et une bonne stabilité thermique dans des environnements à haute température. La combinaison parfaite des deux détermine les performances parfaites du suscepteur de rotation du revêtement TaC dans le support et la rotation des plaquettes.


Le suscepteur de rotation du revêtement TaC prend en charge et fait tourner la plaquette dans le processus CVD. La dureté Vickers du TaC est d'environ 2 000 HK, ce qui lui permet de résister aux frottements répétés du matériau et de jouer un bon rôle de support, garantissant ainsi que le gaz de réaction est uniformément réparti sur la surface de la tranche et que le matériau est déposé uniformément. Dans le même temps, la tolérance aux températures élevées et la résistance à la corrosion du revêtement TaC lui permettent d'être utilisé pendant une longue période dans des atmosphères à haute température et corrosives, ce qui évite efficacement la contamination de la tranche et du support.


De plus, la conductivité thermique du TaC est de 21 W/m·K, ce qui permet un bon transfert de chaleur. Par conséquent, le suscepteur de rotation du revêtement TaC peut chauffer la tranche uniformément dans des conditions de température élevée et assurer l'uniformité du processus de dépôt de gaz grâce à un mouvement de rotation, maintenant ainsi la cohérence et la haute qualité decroissance des plaquettes.


Revêtement en carbure de tantale (TaC) sur une coupe microscopique

Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 1Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 2Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 3Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 4


Propriétés physiques du revêtement TaC


Propriétés physiques du revêtement TaC
Densité
14,3 (g/cm³)
Émissivité spécifique
0.3
Coefficient de dilatation thermique
6,3*10-6/K
Dureté (HK)
2000 Hong Kong
Résistance
1×10-5Ohm*cm
Stabilité thermique
<2500℃
Modifications de la taille du graphite
-10~-20um
Épaisseur du revêtement
Valeur typique ≥20um (35um±10um)



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