VeTek Semiconductor est l'un des principaux fabricants et innovateurs de mandrins à revêtement en carbure de tantale en Chine. Nous sommes spécialisés dans le revêtement TaC depuis de nombreuses années. Nos produits ont une grande pureté et une résistance à haute température jusqu'à 2000 ℃. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme. partenaire en Chine.
VeTek Semiconductor fournit un mandrin revêtu de carbure de tantale de haute qualité, des pièces de revêtement SiC à un prix compétitif.Bienvenue à notre demande.Mandrin revêtu de carbure de tantale VeTek Semiconductor, spécialement conçu pour le système AIXTRON G10 MOCVD. Cet accessoire améliore l'efficacité et la qualité de la fabrication de semi-conducteurs, offrant des performances et une fiabilité exceptionnelles.
Fabriqué à partir de matériaux de haute qualité et fabriqué avec précision, le mandrin est doté d'un substrat en graphite recouvert de carbure de tantale CVD (TaC). Ce revêtement offre une excellente stabilité thermique, une grande pureté et une résistance aux températures élevées. Il garantit des performances fiables dans les conditions exigeantes des processus MOCVD.
Le mandrin est personnalisable pour s'adapter à différentes tailles de plaquettes semi-conductrices, ce qui le rend adapté à diverses exigences de production. Sa construction robuste minimise les temps d'arrêt et les coûts de maintenance associés aux supports et suscepteurs de plaquettes.
Avec le mandrin revêtu de carbure de tantale VeTek Semiconductor, le système AIXTRON G10 MOCVD atteint une efficacité plus élevée et des résultats supérieurs dans la fabrication de semi-conducteurs. Sa stabilité thermique exceptionnelle, sa compatibilité avec différentes tailles de tranches et ses performances fiables en font un outil essentiel pour optimiser l'efficacité de la production et obtenir des résultats exceptionnels dans l'environnement difficile du MOCVD.
Propriétés physiques du revêtement TaC | |
Densité | 14,3 (g/cm³) |
Émissivité spécifique | 0.3 |
Coefficient de dilatation thermique | 6.3 10-6/K |
Dureté (HK) | 2000 Hong Kong |
Résistance | 1×10-5 Ohms*cm |
Stabilité thermique | <2500℃ |
Modifications de la taille du graphite | -10~-20um |
Épaisseur du revêtement | Valeur typique ≥20um (35um±10um) |