GaN sur accepteur épi SiC

En tant que professionnelfabricant de semi-conducteursen Chine,Semi-conducteur VeTek GaN sur accepteur épi SiCest un élément clé dans le processus de préparation deGaN sur SiCappareils, et ses performances affectent directement la qualité de la couche épitaxiale. Avec l'application généralisée du GaN sur les dispositifs SiC dans l'électronique de puissance, les dispositifs RF et d'autres domaines, les exigences en matière deRécepteur épi SiCdeviendra de plus en plus haut. VeTek Semiconductor se concentre sur la fourniture de solutions technologiques et de produits ultimes pour l'industrie des semi-conducteurs et accueille favorablement votre consultation.

D'une manière générale, le rôle deGaN sur accepteur épi SiCdans le traitement des semi-conducteurs est la suivante :

Capacité de traitement à haute température: Le suscepteur épi GaN sur SiC (GaN basé sur un disque de croissance épitaxiale en carbure de silicium) est principalement utilisé dans le processus de croissance épitaxiale du nitrure de gallium (GaN), en particulier dans les environnements à haute température. Ce disque de croissance épitaxiale peut résister à des températures de traitement extrêmement élevées, généralement comprises entre 1 000 °C et 1 500 °C, ce qui le rend adapté à la croissance épitaxiale de matériaux GaN et au traitement de substrats en carbure de silicium (SiC).

Excellente conductivité thermique: Le suscepteur SiC epi doit avoir une bonne conductivité thermique pour transférer uniformément la chaleur générée par la source de chauffage au substrat SiC afin de garantir l'uniformité de la température pendant le processus de croissance. Le carbure de silicium a une conductivité thermique extrêmement élevée (environ 120-150 W/mK), et le suscepteur épi GaN sur SiC peut conduire la chaleur plus efficacement que les matériaux traditionnels tels que le silicium. Cette caractéristique est cruciale dans le processus de croissance épitaxiale du nitrure de gallium car elle permet de maintenir l'uniformité de température du substrat, améliorant ainsi la qualité et la consistance du film.

Prévenir la pollution: Les matériaux et le procédé de traitement de surface du GaN sur suscepteur épi SiC doivent pouvoir prévenir la pollution du milieu de croissance et éviter l'introduction d'impuretés dans la couche épitaxiale.

En tant que fabricant professionnel deGaN sur accepteur épi SiC, Graphite poreuxetPlaque de revêtement TaCen Chine, VeTek Semiconductor insiste toujours sur la fourniture de services de produits personnalisés et s'engage à fournir à l'industrie des technologies et des solutions de produits de pointe. Nous attendons sincèrement avec impatience votre consultation et votre coopération.

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC:

GaN sur les ateliers de production de suscepteurs épi SiC:

Aperçu de la chaîne industrielle de l’épitaxie des puces semi-conductrices：