GaN sur accepteur épi SiC

VeTek Semiconductor est un fabricant professionnel de suscepteurs épi GaN sur SiC, de revêtements CVD SiC et de suscepteurs en graphite CVD TAC COATING en Chine. Parmi eux, le suscepteur épi GaN sur SiC joue un rôle essentiel dans le traitement des semi-conducteurs. Grâce à son excellente conductivité thermique, sa capacité de traitement à haute température et sa stabilité chimique, il garantit le rendement élevé et la qualité des matériaux du processus de croissance épitaxiale du GaN. Nous attendons avec impatience votre consultation ultérieure.

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Description du produit

En tant que professionnelfabricant de semi-conducteursen Chine,Semi-conducteur VeTek GaN sur accepteur épi SiCest un élément clé dans le processus de préparation deGaN sur SiCappareils, et ses performances affectent directement la qualité de la couche épitaxiale. Avec l'application généralisée du GaN sur les dispositifs SiC dans l'électronique de puissance, les dispositifs RF et d'autres domaines, les exigences en matière deRécepteur épi SiCdeviendra de plus en plus haut. VeTek Semiconductor se concentre sur la fourniture de solutions technologiques et de produits ultimes pour l'industrie des semi-conducteurs et accueille favorablement votre consultation.

Généralement, les rôles du GaN sur le suscepteur épi SiC dans le traitement des semi-conducteurs sont les suivants:

Illustration of epitaxial structures of GaN on SiC

● Capacité de traitement à haute température: Le suscepteur épi GaN sur SiC (GaN basé sur un disque de croissance épitaxiale en carbure de silicium) est principalement utilisé dans le processus de croissance épitaxiale du nitrure de gallium (GaN), en particulier dans les environnements à haute température. Ce disque de croissance épitaxiale peut résister à des températures de traitement extrêmement élevées, généralement comprises entre 1 000 °C et 1 500 °C, ce qui le rend adapté à la croissance épitaxiale de matériaux GaN et au traitement de substrats en carbure de silicium (SiC).

● Excellente conductivité thermique: Le suscepteur SiC epi doit avoir une bonne conductivité thermique pour transférer uniformément la chaleur générée par la source de chauffage au substrat SiC afin de garantir l'uniformité de la température pendant le processus de croissance. Le carbure de silicium a une conductivité thermique extrêmement élevée (environ 120-150 W/mK) et le suscepteur GaN sur SiC Epitaxy peut conduire la chaleur plus efficacement que les matériaux traditionnels tels que le silicium. Cette caractéristique est cruciale dans le processus de croissance épitaxiale du nitrure de gallium car elle permet de maintenir l'uniformité de température du substrat, améliorant ainsi la qualité et la consistance du film.

● Prévenir la pollution: Les matériaux et le procédé de traitement de surface du GaN sur suscepteur SiC Epi doivent être capables de prévenir la pollution du milieu de croissance et d'éviter l'introduction d'impuretés dans la couche épitaxiale.

En tant que fabricant professionnel deGaN sur accepteur épi SiC, Graphite poreuxetPlaque de revêtement TaCen Chine, VeTek Semiconductor insiste toujours sur la fourniture de services de produits personnalisés et s'engage à fournir à l'industrie des technologies et des solutions de produits de pointe. Nous attendons sincèrement avec impatience votre consultation et votre coopération.

STRUCTURE CRISTALLINE DE FILM DE REVÊTEMENT CVD SIC

CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété du revêtement	Valeur typique
Structure cristalline	Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Revêtement CVD SiC Densité	3,21 g/cm³
Dureté	Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Taille des grains	2~10μm
Pureté chimique	99,99995%
Capacité thermique	640 J·kg^-1·K^-1
Température de sublimation	2700 ℃
Résistance à la flexion	415 MPa RT 4 points
Module de Young	Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique	300W·m^-1·K^-1
Expansion thermique (CTE)	4,5×10^-6K^-1