La palette cantilever SiC de VeTek Semiconductor est un produit de très hautes performances. Notre palette en porte-à-faux SiC est généralement utilisée dans les fours de traitement thermique pour la manipulation et le support de tranches de silicium, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et d'autres processus de traitement dans les processus de fabrication de semi-conducteurs. La stabilité à haute température et la conductivité thermique élevée du matériau SiC garantissent une efficacité et une fiabilité élevées dans le processus de traitement des semi-conducteurs. Nous nous engageons à fournir des produits de haute qualité à des prix compétitifs et sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.
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Stabilité à haute température : capable de conserver sa forme et sa structure à haute température, adaptée aux processus de traitement à haute température.
Résistance à la corrosion : Excellente résistance à la corrosion à une variété de produits chimiques et de gaz.
Haute résistance et rigidité : fournit un support fiable pour éviter la déformation et les dommages.
Haute précision : une précision de traitement élevée garantit un fonctionnement stable dans les équipements automatisés.
Faible contamination : le matériau SiC de haute pureté réduit le risque de contamination, ce qui est particulièrement important pour les environnements de fabrication ultra-propres.
Propriétés mécaniques élevées : Capable de résister à des environnements de travail difficiles avec des températures et des pressions élevées.
Applications spécifiques de SiC Cantilever Paddle et son principe d'application
Manipulation des plaquettes de silicium dans la fabrication de semi-conducteurs :
La palette en porte-à-faux SiC est principalement utilisée pour manipuler et supporter des tranches de silicium lors de la fabrication de semi-conducteurs. Ces processus comprennent généralement le nettoyage, la gravure, le revêtement et le traitement thermique. Principe d'application :
Manipulation des plaquettes de silicium : la palette en porte-à-faux SiC est conçue pour serrer et déplacer en toute sécurité les plaquettes de silicium. Lors des processus de traitement chimique et à haute température, la dureté et la résistance élevées du matériau SiC garantissent que la plaquette de silicium ne sera pas endommagée ou déformée.
Processus de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) :
Dans le processus CVD, SiC Cantilever Paddle est utilisé pour transporter des tranches de silicium afin que des films minces puissent être déposés sur leurs surfaces. Principe d'application :
Dans le processus CVD, la palette en porte-à-faux SiC est utilisée pour fixer la plaquette de silicium dans la chambre de réaction, et le précurseur gazeux se décompose à haute température et forme un film mince sur la surface de la plaquette de silicium. La résistance à la corrosion chimique du matériau SiC garantit un fonctionnement stable dans des environnements chimiques et à haute température.
Propriétés physiques du carbure de silicium recristallisé | |
Propriété | Valeur typique |
Température de travail (°C) | 1600°C (avec oxygène), 1700°C (environnement réducteur) |
Contenu SiC | > 99,96% |
Contenu Si gratuit | < 0,1% |
Densité apparente | 2,60-2,70 g/cm3 |
Porosité apparente | < 16% |
Force de compression | > 600 MPa |
Résistance à la flexion à froid | 80-90 MPa (20°C) |
Résistance à la flexion à chaud | 90-100 MPa (1 400 °C) |
Dilatation thermique à 1 500 °C | 4,70 10-6/°C |
Conductivité thermique à 1200°C | 23 W/m•K |
Module d'élasticité | 240 GPa |
Résistance aux chocs thermiques | Extrêmement bon |