VeTek semiconductor est l'un des principaux fabricants de matériaux de revêtement en carbure de tantale pour l'industrie des semi-conducteurs. Nos principales offres de produits comprennent des pièces de revêtement en carbure de tantale CVD, des pièces de revêtement TaC frittées pour la croissance cristalline de SiC ou le processus d'épitaxie de semi-conducteurs. Ayant passé la norme ISO9001, VeTek Semiconductor a un bon contrôle de la qualité. VeTek Semiconductor s'engage à devenir un innovateur dans l'industrie des revêtements en carbure de tantale grâce à la recherche et au développement continus de technologies itératives.
Les principaux produits sontAnneau transfuge avec revêtement en carbure de tantale, anneau de dérivation recouvert de TaC, pièces en demi-lune revêtues de TaC, disque de rotation planétaire revêtu de carbure de tantale (Aixtron G10), creuset revêtu de TaC ; Anneaux revêtus de TaC ; graphite poreux enduit de TaC ; Suscepteur de graphite à revêtement en carbure de tantale ; Anneau de guidage revêtu de TaC ; Plaque revêtue de carbure de tantale TaC ; Suscepteur de plaquette à revêtement TaC ; Anneau de revêtement TaC ; Couverture en graphite à revêtement TaC ; Morceau enduit de TaCetc., la pureté est inférieure à 5 ppm, peut répondre aux exigences des clients.
Le graphite de revêtement TaC est créé en recouvrant la surface d'un substrat en graphite de haute pureté d'une fine couche de carbure de tantale par un procédé exclusif de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). L'avantage est illustré dans l'image ci-dessous :
Le revêtement en carbure de tantale (TaC) a attiré l'attention en raison de son point de fusion élevé allant jusqu'à 3 880 °C, de son excellente résistance mécanique, de sa dureté et de sa résistance aux chocs thermiques, ce qui en fait une alternative intéressante aux processus d'épitaxie de semi-conducteurs composés avec des exigences de température plus élevées. tels que le système Aixtron MOCVD et le processus d'épitaxie LPE SiC. Il a également une large application dans le processus de croissance cristalline SiC de la méthode PVT.
●Stabilité de la température
●Ultra haute pureté
●Résistance à H2, NH3, SiH4,Si
●Résistance au stock thermique
●Forte adhérence au graphite
●Couverture du revêtement conforme
● Taille jusqu'à 750 mm de diamètre (le seul fabricant en Chine atteint cette taille)
● Suscepteur de chauffage inductif
● Élément chauffant résistif
● Bouclier thermique
Propriétés physiques du revêtement TaC | |
Densité | 14,3 (g/cm³) |
Émissivité spécifique | 0.3 |
Coefficient de dilatation thermique | 6.3 10-6/K |
Dureté (HK) | 2000 Hong Kong |
Résistance | 1×10-5Ohm*cm |
Stabilité thermique | <2500℃ |
Modifications de la taille du graphite | -10~-20um |
Épaisseur du revêtement | Valeur typique ≥20um (35um±10um) |
Élément | Pourcentage atomique | |||
Pt. 1 | Pt. 2 | Pt. 3 | Moyenne | |
CK | 52.10 | 57.41 | 52.37 | 53.96 |
Eux | 47.90 | 42.59 | 47.63 | 46.04 |
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